SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Средняя оценка

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Сообщить об ошибке

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 37

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.1 9.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 36
Скорость чтения, Гб/сек

14.0 16.4
Скорость записи, Гб/сек

9.3 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2327 2653

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

Kingston 9965589-035.D00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB

модули RAM