Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 83

Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 15.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.3 1,813.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

56 83
Скорость чтения, Гб/сек

4,387.7 15.1
Скорость записи, Гб/сек

1,813.5 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

693 1663

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB

модули RAM