RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
10.6
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3579
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link