SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 37
    Wokół strony -16% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.8 left arrow 14.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.4 left arrow 10.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 17000
    Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.7 left arrow 16.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.6 left arrow 15.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2438 left arrow 3579
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania