RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
3221
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link