RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.6
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
10.6
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2817
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link