SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 37

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.4 10.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 34
Скорость чтения, Гб/сек

14.7 15.8
Скорость записи, Гб/сек

10.6 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 21300

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2438 2902

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB

Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB

модули RAM

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM