RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
10.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2468
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link