RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
11.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
2468
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link