RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
10.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2312
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link