RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB против Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
38
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2852
2451
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link