RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB против Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.6
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2822
3151
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link