RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
13.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
10.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2657
2359
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link