RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2382
2925
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link