RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
55
Около -20% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
55
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2699
2936
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link