SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Wynik ogólny

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16 15.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.9 12.8

Średnia wartość w badaniach

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

46 55

Wokół strony -20% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR4 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

55 46
Prędkość odczytu, GB/s

16.0 15.9
Prędkość zapisu, GB/s

12.9 12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

25600 25600

Other

Opis

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2699 2936

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240