RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB против Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
10.5
6.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
3.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
52
Скорость чтения, Гб/сек
6.9
10.5
Скорость записи, Гб/сек
3.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
865
2236
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link