SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Средняя оценка

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 48

Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 7.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

48 26
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 16.9
Скорость записи, Гб/сек

7.0 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1955 3204

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB

модули RAM

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB

модули RAM

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

Kingston 9905643-009.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB

модули RAM