RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1955
2104
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link