SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB против Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Средняя оценка

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Сообщить об ошибке

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 58

Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.8 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 6.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

58 48
Скорость чтения, Гб/сек

8.2 10.8
Скорость записи, Гб/сек

6.4 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1718 2431

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM