RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
2925
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link