RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
51
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
22
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
3110
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link