RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2182
3317
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link