RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
45
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
45
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
2190
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link