RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3604
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link