RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.9
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
21.9
Скорость записи, Гб/сек
7.3
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
4044
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link