RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link