RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link