SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 18.2
Скорость записи, Гб/сек

7.3 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1438 3501

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

V-GEN D4H16GS24A8 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

Maxsun MSD44G24Q0 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

AMD R744G2606U1S 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

Kingston HX421C14FB/4 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM