RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3075
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link