RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
43
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
6.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
3437
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link