RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
53
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.7
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
53
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
10.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
2319
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link