RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
83
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
83
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
14.3
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
1774
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link