RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
74
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
74
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
1616
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link