SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 60

Около 37% меньшая задержка

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.8 6.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 60
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 15.0
Скорость записи, Гб/сек

6.6 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1406 2554

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB

модули RAM