RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3391
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link