RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
42
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.9
Скорость записи, Гб/сек
6.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3126
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link