RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
14
27
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость чтения
26.4
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
14
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
26.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
19.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
4362
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link