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PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
27
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
14
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
19.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
4362
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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