SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Kingston 9905624-045.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Средняя оценка

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 93

Около 59% меньшая задержка

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 10.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 6.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905624-045.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 93
Скорость чтения, Гб/сек

10.9 15.5
Скорость записи, Гб/сек

6.6 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1406 1670

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

Teclast TLD416G26A30 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

Kingston 9965596-031.B00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

Kingston XG9XKG-MIE 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

Kingston 9905701-004.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

модули RAM