RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
12.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2490
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link