RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
43
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
37
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2191
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link