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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
14.9
13.9
写入速度,GB/s
9.6
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2191
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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