Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Pontuação geral
star star star star star
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    37 left arrow 43
    Por volta de -16% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.2 left arrow 9.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.9 left arrow 13.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.6 left arrow 10.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2506 left arrow 2191
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações