Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Pontuação geral
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 19.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    2,072.7 left arrow 15.5
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    20 left arrow 75
    Por volta de -275% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    75 left arrow 20
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,730.3 left arrow 19.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,072.7 left arrow 15.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    858 left arrow 3234
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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