Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Gesamtnote
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Unterschiede

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 19.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,072.7 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 75
    Rund um -275% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    75 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,730.3 left arrow 19.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,072.7 left arrow 15.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    858 left arrow 3234
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche