RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,072.7
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
75
Около -275% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
20
Скорость чтения, Гб/сек
2,730.3
19.6
Скорость записи, Гб/сек
2,072.7
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3234
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Сравнения RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link