Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Причины выбрать
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 19.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,072.7 15.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 75

Около -275% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

75 20
Скорость чтения, Гб/сек

2,730.3 19.6
Скорость записи, Гб/сек

2,072.7 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

858 3234

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

Kingston 9905678-065.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM