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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
7.3
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2916
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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