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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
34
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
34
读取速度,GB/s
17.4
15.0
写入速度,GB/s
10.9
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2783
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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