RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2490
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link